DMT3006LFV-7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMT3006LFV-7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: POWERDI3333-8

Аналог (замена) для DMT3006LFV-7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMT3006LFV-7 даташит

 ..1. Size:410K  1
 dmt3006lfv-7.pdf pdf_icon

DMT3006LFV-7

DMT3006LFV 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (Type UX) Product Summary Features Low RDS(ON) Ensures On-State Losses are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher C Density End Products 7m @ VGS = 10V 30V 60A Occupies just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling

 4.1. Size:410K  diodes
 dmt3006lfv.pdf pdf_icon

DMT3006LFV-7

DMT3006LFV 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 (Type UX) Product Summary Features Low RDS(ON) Ensures On-State Losses are Minimized ID Max BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher C Density End Products 7m @ VGS = 10V 30V 60A Occupies just 33% of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling

 6.1. Size:337K  1
 dmt3006lps-13.pdf pdf_icon

DMT3006LFV-7

DMT3006LPS Green N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses ID max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) max TC = +25 C Advanced Technology for DC-DC Converters Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 6m @ VGS = 10V 65A Density En

 6.2. Size:337K  diodes
 dmt3006lps.pdf pdf_icon

DMT3006LFV-7

DMT3006LPS Green N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses ID max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) max TC = +25 C Advanced Technology for DC-DC Converters Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 6m @ VGS = 10V 65A Density En

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMP22M2UPS-13, DMP3007SPS-13, DMP3010LPSQ-13, DMP3013SFV-13, DMP3013SFV-7, DMP3017SFV-7, DMP4015SPS-13, DMT10H015LPS-13, IRF4905, DMT3006LPS-13, DMT3009LFVW-7, DMT31M6LPS-13, DMT32M5LPS-13, DMT6004LPS-13, DMT6005LPS-13, DMT6009LPS-13, DMT6016LPS-13