HSBA4115. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSBA4115

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: PRPAK5X6

Аналог (замена) для HSBA4115

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBA4115 даташит

 ..1. Size:467K  1
hsba4115.pdfpdf_icon

HSBA4115

HSBA4115 P-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBA4115 is the high cell density trenched V -40 V DS P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 10.5 m DS(ON),typ converter applications. I -52 A D The HSBA4115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functi

 9.1. Size:438K  1
hsba4006.pdfpdf_icon

HSBA4115

HSBA4006 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 40 V The HSBA4006 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 7.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 60 A The HSBA4006 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

 9.2. Size:556K  1
hsba4016.pdfpdf_icon

HSBA4115

HSBA4016 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBA4016 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 6.5 m converter applications. ID 75 A The HSBA4016 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function relia

 9.3. Size:626K  1
hsba4909.pdfpdf_icon

HSBA4115

HSBA4909 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBA4909 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 40V 8m 15A high cell density, which provide excellent -40V 13m -15A RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSBA4909 meet the RoHS and Green Product requiremen

Другие IGBT... G12P03D3, G16P03D3, GL150N03AD, GL35N03AD3, GT080N10D5, GT110N06D5, HGQ065NE4A, HSBA3016, BS170, HSBA4204, HSBA4909, HSBA6074, HSBA6115, HSBA6214, HSBB3072, HSBB6113, HSBB6254