Справочник MOSFET. HSBB6254

 

HSBB6254 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSBB6254
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 231 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: PRPAK3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB6254 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:553K  1
hsbb6254.pdfpdf_icon

HSBB6254

HSBB6254 Dual N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Applications V 60 V DS Load Switching Battery Protection. R 15 m DS(ON),max Lighting. Bridge Topologies. I 22 A DPRPAK3*3 Pin Configuration 100% EAS Guaranteed Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell densi

 9.1. Size:785K  1
hsbb6056.pdfpdf_icon

HSBB6254

HSBB6056 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary Advanced Trench MOS Technology VDS 60 V Low Gate Charge Low RDS(ON) RDS(ON),typ 7 m 100% EAS Guaranteed ID 30 A Green Device Available PRPAK3X3 Pin Configuration Application Motor Control. DC/DC Converter. Synchronous rectifier applications. Absolute Maximum R

 9.2. Size:498K  1
hsbb6113.pdfpdf_icon

HSBB6254

HSBB6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB6113 is the high cell density trenched P-V -60 V DSch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 90 m DS(ON),maxconverter applications. I -13 A DThe HSBB6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full funct

 9.3. Size:848K  1
hsbb6066.pdfpdf_icon

HSBB6254

HSBB6066 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary Advanced Trench MOS Technology V 60 V DS Low Gate Charge Low R DS(ON)R 4.4 m DS(ON),typ 100% EAS Guaranteed I 60 A D Green Device Available PRPAK3X3 Pin Configuration Application Motor Control. DC/DC Converter. Synchronous rectifier applications. Absolute

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NCV8440 | HRLU80N06K | NDH832P

 

 
Back to Top

 


 
.