Справочник MOSFET. HYG025N04NA1C2

 

HYG025N04NA1C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG025N04NA1C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 137.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 787 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG025N04NA1C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1254K  1
 hyg025n04na1c2.pdf pdf_icon

HYG025N04NA1C2

HYG025N04NA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 40V/190ARDS(ON)= 1.4m(typ.) @VGS = 10VD D D DD D D D 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPac

 6.1. Size:1497K  1
 hyg025n06ls1c2.pdf pdf_icon

HYG025N04NA1C2

HYG025N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 60V/170ARDS(ON)= 2.1 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous B

 6.2. Size:1447K  hymexa
 hyg025n06ls1p.pdf pdf_icon

HYG025N04NA1C2

HYG025N06LS1PSingle N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 60V/160ARDS(ON)= 2.5 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 3.7 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3LApplications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

 6.3. Size:1497K  hymexa
 hyg025n06ls1c2.pdf pdf_icon

HYG025N04NA1C2

HYG025N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 60V/170ARDS(ON)= 2.1 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KI001P | FL6L5201 | SM4383NSKP | SJMN600R60F | CHM4955JGP | FRS230H | IRF9Z34N

 

 
Back to Top

 


 
.