Справочник MOSFET. HYG025N04NA1C2

 

HYG025N04NA1C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG025N04NA1C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 137.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 787 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для HYG025N04NA1C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG025N04NA1C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1254K  1
 hyg025n04na1c2.pdf pdf_icon

HYG025N04NA1C2

HYG025N04NA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 40V/190ARDS(ON)= 1.4m(typ.) @VGS = 10VD D D DD D D D 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPac

 6.1. Size:1497K  1
 hyg025n06ls1c2.pdf pdf_icon

HYG025N04NA1C2

HYG025N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 60V/170ARDS(ON)= 2.1 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous B

 6.2. Size:1447K  hymexa
 hyg025n06ls1p.pdf pdf_icon

HYG025N04NA1C2

HYG025N06LS1PSingle N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 60V/160ARDS(ON)= 2.5 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 3.7 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3LApplications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

 6.3. Size:1497K  hymexa
 hyg025n06ls1c2.pdf pdf_icon

HYG025N04NA1C2

HYG025N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 60V/170ARDS(ON)= 2.1 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HYG007N03LS1C2 , HYG009N04LS1C2 , HYG011N04LS1C2 , HYG013N03LS1C2 , HYG015N04LS1C2 , HYG017N04LS1C2 , HYG019N04NR1C2 , HYG023N03LR1C2 , AO3401 , HYG045N03LA1C1 , HYG055N08NS1C2 , HYG072N10LS1C2 , HYG110P04LQ2C2 , IPLK60R1K0PFD7 , IPLK60R1K5PFD7 , IPLK60R360PFD7 , IPLK60R600PFD7 .

History: 2SK981A | SSM5H90ATU

 

 
Back to Top

 


 
.