JMSL0606AG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JMSL0606AG
Маркировка: SL0406A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 17.9 nC
Время нарастания (tr): 8.6 ns
Выходная емкость (Cd): 536 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0052 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
Аналог (замена) для JMSL0606AG
JMSL0606AG Datasheet (PDF)
jmsl0606ag.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
JMSL0606AG60V 4.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V)4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V)5.2 mApplications Power Managerment in Telecom., Industrial
jmsl0302au.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
JMSL0302AU30V 1.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)_Typ1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management i
jmsl0302ag.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
JMSL0302AG30V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management in Computing,
jmsl0406ag.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
JMSL0406AG40V 4.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)4.2 mApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .