Справочник MOSFET. MCAC50N10Y-TP

 

MCAC50N10Y-TP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCAC50N10Y-TP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 961 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для MCAC50N10Y-TP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC50N10Y-TP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:677K  1
 mcac50n10y-tp.pdf pdf_icon

MCAC50N10Y-TP

MCAC50N10YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 100 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=80V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250A1 2 3 VGate-Threshold

 4.1. Size:677K  mcc
 mcac50n10y.pdf pdf_icon

MCAC50N10Y-TP

MCAC50N10YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 100 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=80V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250A1 2 3 VGate-Threshold

 7.1. Size:899K  1
 mcac50n06y-tp.pdf pdf_icon

MCAC50N10Y-TP

MCAC50N06YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 60 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=48V, VGS=0V, TJ=25CZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshol

 7.2. Size:899K  mcc
 mcac50n06y.pdf pdf_icon

MCAC50N10Y-TP

MCAC50N06YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 60 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=48V, VGS=0V, TJ=25CZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... KCY3310A , KNY3403B , LSGNE03R098WB , MCAC10H03-TP , MCAC16N03-TP , MCAC30N06Y-TP , MCAC40N10YA-TP , MCAC50N06Y-TP , IRF4905 , MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S .

History: MS15N60 | AO4466L | SI2356DS

 

 
Back to Top

 


 
.