MCAC80N045Y-TP - описание и поиск аналогов

 

MCAC80N045Y-TP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCAC80N045Y-TP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 754 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

Аналог (замена) для MCAC80N045Y-TP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC80N045Y-TP даташит

 ..1. Size:869K  1
 mcac80n045y-tp.pdf pdf_icon

MCAC80N045Y-TP

MCAC80N045Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 45 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA VDS=32V, VGS=0V, TJ=25 C 1 IDSS Zero Gate Voltage Drain Current A VDS=32V, VGS=0V, TJ=85 C 30 VGS(t

 3.1. Size:869K  mcc
 mcac80n045y.pdf pdf_icon

MCAC80N045Y-TP

MCAC80N045Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 45 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA VDS=32V, VGS=0V, TJ=25 C 1 IDSS Zero Gate Voltage Drain Current A VDS=32V, VGS=0V, TJ=85 C 30 VGS(t

Другие MOSFET... MCAC10H03-TP , MCAC16N03-TP , MCAC30N06Y-TP , MCAC40N10YA-TP , MCAC50N06Y-TP , MCAC50N10Y-TP , MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , K3569 , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF .

History: NCEP12T12

 

 

 

 

↑ Back to Top
.