MCAC80N045Y-TP - аналоги и даташиты транзистора

 

MCAC80N045Y-TP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MCAC80N045Y-TP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 754 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для MCAC80N045Y-TP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC80N045Y-TP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:869K  1
 mcac80n045y-tp.pdf pdf_icon

MCAC80N045Y-TP

MCAC80N045YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 45 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=32V, VGS=0V, TJ=25C1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=32V, VGS=0V, TJ=85C30VGS(t

 3.1. Size:869K  mcc
 mcac80n045y.pdf pdf_icon

MCAC80N045Y-TP

MCAC80N045YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 45 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=32V, VGS=0V, TJ=25C1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=32V, VGS=0V, TJ=85C30VGS(t

Другие MOSFET... MCAC10H03-TP , MCAC16N03-TP , MCAC30N06Y-TP , MCAC40N10YA-TP , MCAC50N06Y-TP , MCAC50N10Y-TP , MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , SPP20N60C3 , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF .

History: IPF105N03LG | 2SK3431-ZJ | BLS65R165-I | 2SK3990-01L | BRCS020N06SBD | SRT06N022HD | FQU3P50TU

 

 
Back to Top

 


 
.