MEE7816S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MEE7816S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для MEE7816S
MEE7816S Datasheet (PDF)
mee7816s.pdf
Preliminary - MEE7816S-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10V The MEE7816S is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, EMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density pro
mee7816s-g.pdf
Preliminary - MEE7816S-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10V The MEE7816S is a N-Channel enhancement mode power field effect Super high density cell design for extremely low RDS(ON) transistors, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This advanced t
mee7816as-g.pdf
MEE7816AS-G Dual N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10VThe MEE7816AS-G is a N-Channel enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON)effect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Exceptional on-resistance and maximum DC currentGate(ETG) technology. This advanced technology
Другие MOSFET... MCAC50N10Y-TP , MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , K4145 , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF .
History: ME80N75F-G | ME80N08A-G | JCS10N65BT | MESS84 | AP40U03GH | WMN28N65C4 | ME9435A
History: ME80N75F-G | ME80N08A-G | JCS10N65BT | MESS84 | AP40U03GH | WMN28N65C4 | ME9435A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet




