MEE7816S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MEE7816S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 119 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для MEE7816S
MEE7816S Datasheet (PDF)
mee7816s.pdf

Preliminary - MEE7816S-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10V The MEE7816S is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, EMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density pro
mee7816s-g.pdf

Preliminary - MEE7816S-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10V The MEE7816S is a N-Channel enhancement mode power field effect Super high density cell design for extremely low RDS(ON) transistors, using Force-MOS patented Extended Trench Gate(ETG) Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This advanced t
mee7816as-g.pdf

MEE7816AS-G Dual N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)100m@VGS=10VThe MEE7816AS-G is a N-Channel enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON)effect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Exceptional on-resistance and maximum DC currentGate(ETG) technology. This advanced technology
Другие MOSFET... MCAC50N10Y-TP , MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , IRFB3607 , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF .
History: DH009N02 | SL12P03S | STP19NB20 | AO4306
History: DH009N02 | SL12P03S | STP19NB20 | AO4306



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet