2N6764JAN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N6764JAN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO204

Аналог (замена) для 2N6764JAN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6764JAN даташит

 8.1. Size:140K  1
 2n6764.pdf pdf_icon

2N6764JAN

 8.2. Size:64K  omnirel
 2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf pdf_icon

2N6764JAN

2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543 100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/543 DESCRIPTION

 9.1. Size:142K  1
 2n6766.pdf pdf_icon

2N6764JAN

 9.2. Size:140K  1
 2n6768.pdf pdf_icon

2N6764JAN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2N6762, 2N6762JAN, 2N6762JANTX, 2N6762JANTXV, 2N6762JTX, 2N6762JTXV, 2N6763, 2N6764, 10N65, 2N6764JANTX, 2N6764JANTXV, 2N6764JTX, 2N6764JTXV, 2N6765, 2N6766, 2N6766JAN, 2N6766JANTX