STM4532 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STM4532
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STM4532 Datasheet (PDF)
stm4532.pdf

GreenProductS TM4532S amHop Microelectronics C orp.Mar.30, 2005 Ver1.1Dual E nhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)(N-C hannel) (PPR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel)VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max MaxVDS S ID R DS (ON) ( m )40@ VG S = 10V 55@ VG S = -10V5.5A -30V -4.5A30V50@ VG S = 4.5V 85@ VG S = -4.5VD1 D1 D2 D28 7 6 5S O
stm4550.pdf

GreenProductSTM4550SamHop Microelectronics Corp.Oct 14 2009 Ver1.0N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPRODUCT SUMMARY FEATURESSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) ( m ) MaxRugged and reliable.60 @ VGS = 10V60V 5ASurface Mount Package.75 @ VGS = 4.5VSO-81ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25 C unless otherwise noted)Limit Un
Другие MOSFET... FDP083N15AF102 , FDP085N10AF102 , STM4615 , FDP090N10 , STM4605 , FDP100N10 , STM4550 , FDP10N60NZ , IRF3205 , FDP120N10 , STM4470E , FDP12N50 , FDP12N50NZ , FDP12N60NZ , STM4470A , FDP150N10 , STM4470 .
History: BSS214NW | AOD4132 | APL602J | PK5M6EA | TK3A60DA | HAF1002
History: BSS214NW | AOD4132 | APL602J | PK5M6EA | TK3A60DA | HAF1002



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827