PKC26BB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PKC26BB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 73 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.35 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 151 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 70 nC
Время нарастания (tr): 120 ns
Выходная емкость (Cd): 625 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0023 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
PKC26BB Datasheet (PDF)
pkc26bb.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
N-Channel Enhancement Mode PKC26BBNIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 D30V 1.6m 151A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![PKC26BB](https://alltransistors.com/images/us.png)
![PKC26BB](https://alltransistors.com/images/es.png)
![PKC26BB](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: NCES120R018T4 | NCES120P075T4 | NCES120P035T4 | NCES075R026T4 | NCES075R026T | NCEP60ND60G | NCEP60ND30AG | NCEP40T14A | NCEP40ND80G | NCEP1580F | NCEP023NH85GU | NCEP023NH85AGU | NCEP018NH30QU | NCEP015NH30GU | NCEP015NH30AQU | NCEP015NH30AGU