PKC26BB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PKC26BB  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 151 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PKC26BB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PKC26BB даташит

 ..1. Size:209K  1
 pkc26bb.pdf pdf_icon

PKC26BB

N-Channel Enhancement Mode PKC26BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 D 30V 1.6m 151A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.

 ..2. Size:403K  niko-sem
 pkc26bb.pdf pdf_icon

PKC26BB

N-Channel Enhancement Mode PKC26BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 D 30V 1.6m 151A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G

Другие IGBT... NTTFS4C10NTAG, NTTFS4C25NTAG, NTTFS5C454NLTAG, NVMFD024N06CT1G, NVMFD5483NLT1G, NVMFD5485NLT1G, PE5E4BA, PK6A4BA, AO3400, SCDP120R040NP4B, STS65R190FS2, STS65R190L8AS2TR, STS65R190SS2, STS65R190SS2TR, STS65R190TS2, STS65R280DS2TR, STS65R280FS2