STS65R190SS2 - описание и поиск аналогов

 

STS65R190SS2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS65R190SS2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 169 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для STS65R190SS2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS65R190SS2 даташит

 8.1. Size:571K  silan
sts65r280ds2tr sts65r280fs2.pdfpdf_icon

STS65R190SS2

STS65R280D(F)S2 14A 650V MOS 2 STS65R280D(F)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R280D(F)S2 / 3

 8.2. Size:495K  silan
sts65r580ds2tr sts65r580fs2 sts65r580ss2 sts65r580ss2tr sts65r580mjs2.pdfpdf_icon

STS65R190SS2

STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 8A, 650V MOS 2 STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 N MOSFET MOS 1 1 3 STS65R580D(F)(S)(MJ)S2

Другие MOSFET... NVMFD5483NLT1G , NVMFD5485NLT1G , PE5E4BA , PK6A4BA , PKC26BB , SCDP120R040NP4B , STS65R190FS2 , STS65R190L8AS2TR , IRF630 , STS65R190SS2TR , STS65R190TS2 , STS65R280DS2TR , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR , STS65R580FS2 , STS65R580MJS2 , STS65R580SS2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.