Справочник MOSFET. STS65R580FS2

 

STS65R580FS2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS65R580FS2
   Маркировка: 65R580FS2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS65R580FS2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  silan
 sts65r580ds2tr sts65r580fs2 sts65r580ss2 sts65r580ss2tr sts65r580mjs2.pdf pdf_icon

STS65R580FS2

STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 8A, 650V MOS 2STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 N MOSFET MOS 1 13STS65R580D(F)(S)(MJ)S2

 8.1. Size:571K  silan
 sts65r280ds2tr sts65r280fs2.pdf pdf_icon

STS65R580FS2

STS65R280D(F)S2 14A650V MOS 2STS65R280D(F)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R280D(F)S2 /3

 8.2. Size:553K  silan
 sts65r190fs2 sts65r190l8as2tr sts65r190ts2 sts65r190ss2 sts65r190ss2tr.pdf pdf_icon

STS65R580FS2

STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 20A650V MOS 2STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R190F(L8A)(T)(S)S2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP9527 | HY1607MF | STQ1NK80ZR-AP | HY3403V | STS4DNFS30L | HY3215W | FQB19N10TM

 

 
Back to Top

 


 
.