STS65R580SS2TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STS65R580SS2TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для STS65R580SS2TR
STS65R580SS2TR Datasheet (PDF)
sts65r580ds2tr sts65r580fs2 sts65r580ss2 sts65r580ss2tr sts65r580mjs2.pdf

STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 8A, 650V MOS 2STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 N MOSFET MOS 1 13STS65R580D(F)(S)(MJ)S2
sts65r280ds2tr sts65r280fs2.pdf

STS65R280D(F)S2 14A650V MOS 2STS65R280D(F)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R280D(F)S2 /3
sts65r190fs2 sts65r190l8as2tr sts65r190ts2 sts65r190ss2 sts65r190ss2tr.pdf

STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 20A650V MOS 2STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R190F(L8A)(T)(S)S2
Другие MOSFET... STS65R190SS2TR , STS65R190TS2 , STS65R280DS2TR , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR , STS65R580FS2 , STS65R580MJS2 , STS65R580SS2 , AO3400 , SVD1055SA , SVD3205STR , SVD540DTR , SVD540F , SVD640DTR , SVD640S , SVD640STR , SVDP2353PL3A .
History: IRFP354PBF | SSF5510G | SIS472DN | HMS85N95 | BRI6N70 | HUFA75639S3S
History: IRFP354PBF | SSF5510G | SIS472DN | HMS85N95 | BRI6N70 | HUFA75639S3S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent