SVF10N60CFJ - описание и поиск аналогов

 

SVF10N60CFJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF10N60CFJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVF10N60CFJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF10N60CFJ даташит

 ..1. Size:577K  silan
svf10n60cfj.pdfpdf_icon

SVF10N60CFJ

 5.1. Size:324K  silan
svf10n60cafj.pdfpdf_icon

SVF10N60CFJ

SVF10N60CAFJ 10A 600V N 2 SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.

 6.1. Size:301K  silan
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdfpdf_icon

SVF10N60CFJ

SVF10N60T/F/S/K 10A 600V N 2 SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 TO-263-2L 1

 6.2. Size:690K  silan
svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdfpdf_icon

SVF10N60CFJ

Другие MOSFET... SVD540DTR , SVD540F , SVD640DTR , SVD640S , SVD640STR , SVDP2353PL3A , SVDZ24NDTR , SVF10N60CAFJ , IRF1010E , SVF10N60STR , SVF10N65CA , SVF10N65CF , SVF10N65CFJH , SVF10N65CK , SVF10N65K , SVF10N65S , SVF10N65STR .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.