SVF10N60CFJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVF10N60CFJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 41.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SVF10N60CFJ
SVF10N60CFJ Datasheet (PDF)
svf10n60cfj.pdf

SVF10N60CFJ 10A600V N 2SVF10N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.
svf10n60cafj.pdf

SVF10N60CAFJ 10A600V N 2SVF10N60CAFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
svf10n60t svf10n60f svf10n60s svf10n60k.pdf

SVF10N60T/F/S/K 10A600V N 2SVF10N60T/F/S/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3TO-263-2L1
svf10n60f svf10n60s svf10n60str svf10n60k.pdf

SVF10N60F/T/S/K 10A600V N SVF10N60F/T/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
Другие MOSFET... SVD540DTR , SVD540F , SVD640DTR , SVD640S , SVD640STR , SVDP2353PL3A , SVDZ24NDTR , SVF10N60CAFJ , IRF530 , SVF10N60STR , SVF10N65CA , SVF10N65CF , SVF10N65CFJH , SVF10N65CK , SVF10N65K , SVF10N65S , SVF10N65STR .
History: VS-FB190SA10 | RU1Z120R | FKV460S | SM140R50CT2TL | NVMFD5C478N | AOE6932 | RHU003N03
History: VS-FB190SA10 | RU1Z120R | FKV460S | SM140R50CT2TL | NVMFD5C478N | AOE6932 | RHU003N03



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent | 2n555