SVF10N65S - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVF10N65S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVF10N65S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SVF10N65S

SVF10N65S Datasheet (PDF)

..1. Size:403K silan
svf10n65t svf10n65f svf10n65k svf10n65s svf10n65str.pdf

SVF10N65T/F/K/S 10A650V N 2SVF10N65T/F/K/S N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

6.1. Size:601K 1
svf10n65f svf10n65t.pdf

SVF10N65T/F_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

6.2. Size:290K silan
svf10n65cfj.pdf

SVF10N65CFJ_Datasheet 10A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF10N65CFJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand

6.3. Size:361K silan
svf10n65cf svf10n65ck svf10n65cfjh.pdf