SVF12N65K - описание и поиск аналогов

 

SVF12N65K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF12N65K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 209 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SVF12N65K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF12N65K даташит

 ..1. Size:394K  silan
 svf12n65f svf12n65k svf12n65s svf12n65str.pdf pdf_icon

SVF12N65K

 6.1. Size:586K  1
 svf12n65f svf12n65t.pdf pdf_icon

SVF12N65K

SVF12N65T/F_Datasheet 12A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF12N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switch

 6.2. Size:489K  silan
 svf12n65cf svf12n65ck svf12n65cs svf12n65ckl svf12n65cfq.pdf pdf_icon

SVF12N65K

SVF12N65CF/K/S/KL/FQ 12A 650V N SVF12N65CF/K/S/KL/FQ N MOS F-CellTM VDMOS A

 6.3. Size:444K  silan
 svf12n65t svf12n65f.pdf pdf_icon

SVF12N65K

SVF12N65T/F 12A 650V N 2 SVF12N65T/F N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF10N65CFJH , SVF10N65CK , SVF10N65K , SVF10N65S , SVF10N65STR , SVF12N60CF , SVF12N60CFJ , SVF12N60STR , 4N60 , SVF12N65S , SVF12N65STR , SVF13N50AF , SVF13N50CFJ , SVF13N50S , SVF13N50STR , SVF14N25CD , SVF18N65EFJH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.