Справочник MOSFET. SVF13N50CFJ

 

SVF13N50CFJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF13N50CFJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF13N50CFJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  silan
 svf13n50cfj.pdf pdf_icon

SVF13N50CFJ

SVF13N50CFJ 13A500V N 2SVF13N50CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.1. Size:447K  silan
 svf13n50t svf13n50f svf13n50pn.pdf pdf_icon

SVF13N50CFJ

SVF13N50T/F/PN 13A500V N SVF13N50T/F/PN N MOS F-CellTM VDMOS

 6.2. Size:414K  silan
 svf13n50f svf13n50t svf13n50pn svf13n50s svf13n50str.pdf pdf_icon

SVF13N50CFJ

SVF13N50T(F)(PN)(S) 13A500V N 2SVF13N50T(F)(PN)(S) N MOS F-CellTM VDMOS 1. 2. 3.1

 6.3. Size:296K  silan
 svf13n50af.pdf pdf_icon

SVF13N50CFJ

SVF13N50AF 13A500V N 2SVF13N50AF N MOS F-CellTM VDMOS 13 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FC694309 | VN0104N9 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | MPSP60M370 | AP14SL50H | FDU6692

 

 
Back to Top

 


 
.