SVF13N50S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVF13N50S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVF13N50S Datasheet (PDF)
svf13n50f svf13n50t svf13n50pn svf13n50s svf13n50str.pdf

SVF13N50T(F)(PN)(S) 13A500V N 2SVF13N50T(F)(PN)(S) N MOS F-CellTM VDMOS 1. 2. 3.1
svf13n50t svf13n50f svf13n50pn.pdf

SVF13N50T/F/PN 13A500V N SVF13N50T/F/PN N MOS F-CellTM VDMOS
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: LSGNE03R098WB | BUZ104L | LNG2N65 | 2N60L-TM3-T | BRCS030N04DP | 5N65KL-TN3-R | AFP4953S
History: LSGNE03R098WB | BUZ104L | LNG2N65 | 2N60L-TM3-T | BRCS030N04DP | 5N65KL-TN3-R | AFP4953S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet