Справочник MOSFET. SVF3878P7

 

SVF3878P7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF3878P7
   Маркировка: 3878
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 68 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.28 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SVF3878P7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF3878P7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  silan
svf3878p7.pdfpdf_icon

SVF3878P7

SVF3878P7 9A900V N 2SVF3878P7 N MOS F-CellTM VDMOS 1 AC-DC

 6.1. Size:300K  silan
svf3878pn.pdfpdf_icon

SVF3878P7

SVF3878PN 9A900V N SVF3878PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 7.1. Size:349K  silan
svf3878ap7.pdfpdf_icon

SVF3878P7

SVF3878AP7 9A900V N 2. SVF3878AP7 N MOS F-CellTM VDMOS 1.

Другие MOSFET... SVF20N50F , SVF20N50PN , SVF20NE50PN , SVF25NE50PN , SVF2N60RDTR , SVF31N30CS , SVF31N30CSTR , SVF3878AP7 , IRF520 , SVF3N65VFJ , SVF4N150F , SVF4N150P7 , SVF4N150PF , SVF4N60CADTR , SVF4N60CAFJ , SVF4N60DTR , SVF4N65CADTR .

 

 
Back to Top

 


 
.