SVF3N65VFJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF3N65VFJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SVF3N65VFJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF3N65VFJ даташит

 ..1. Size:376K  silan
 svf3n65vfj.pdf pdf_icon

SVF3N65VFJ

 9.1. Size:620K  silan
 svf3n80m svf3n80mj svf3n80f svf3n80d svf3n80t.pdf pdf_icon

SVF3N65VFJ

SVF3N80M/MJ/F/D 3A 800V N SVF3N80M/MJ/F/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

Другие IGBT... SVF20N50PN, SVF20NE50PN, SVF25NE50PN, SVF2N60RDTR, SVF31N30CS, SVF31N30CSTR, SVF3878AP7, SVF3878P7, AO3400A, SVF4N150F, SVF4N150P7, SVF4N150PF, SVF4N60CADTR, SVF4N60CAFJ, SVF4N60DTR, SVF4N65CADTR, SVF4N65CAFJH