Справочник MOSFET. SVF4N150PF

 

SVF4N150PF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N150PF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N150PF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:475K  silan
svf4n150pf svf4n150p7 svf4n150f.pdfpdf_icon

SVF4N150PF

SVF4N150PF(P7)(F) 4A1500V N 2 SVF4N150PF(P7)(F) N MOS 112 F-CellTM VDMOS 3TO-220F-3L31. 2.

 9.1. Size:801K  1
svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdfpdf_icon

SVF4N150PF

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

 9.2. Size:800K  silan
svf4n60d svf4n60f svf4n60t svf4n60m.pdfpdf_icon

SVF4N150PF

SVF4N60D/F/T/M 4A600V N SVF4N60D/F/T/M N MOS F-CellTM VDMOS

 9.3. Size:408K  silan
svf4n70f svf4n70dtr.pdfpdf_icon

SVF4N150PF

SVF4N70F/D 4A700V N 2SVF4N70F/D N MOS F-CellTM VDMOS 13

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI7478DP-T1 | FDA44N50 | 2SJ244 | AP2306AGEN-HF | AON7140 | STB200N6F3 | BUZ353

 

 
Back to Top

 


 
.