SVF4N65CADTR datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SVF4N65CADTR 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
Тип корпуса: TO252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SVF4N65CADTR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVF4N65CADTR даташит
svf4n65caf svf4n65cadtr svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf
SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A 650V N 2 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1.
svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf
SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A 650V N 2 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3
Другие IGBT... SVF3878P7, SVF3N65VFJ, SVF4N150F, SVF4N150P7, SVF4N150PF, SVF4N60CADTR, SVF4N60CAFJ, SVF4N60DTR, FTP08N06A, SVF4N65CAFJH, SVF4N65CF, SVF4N65CMJ, SVF4N65DTR, SVF4N65MJ, SVF4N65RDTR, SVF4N70DTR, SVF4N70F
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: APP50N06 | IRF7752 | 2SK1727 | APG078N07K | APG60N10NF | QM2402J | APJ50N65P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373




