Справочник MOSFET. SVF4N65CADTR

 

SVF4N65CADTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N65CADTR
   Маркировка: 4N65CAD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVF4N65CADTR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N65CADTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  silan
 svf4n65caf svf4n65cadtr svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf pdf_icon

SVF4N65CADTR

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 31.

 4.1. Size:314K  silan
 svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj.pdf pdf_icon

SVF4N65CADTR

SVF4N65CAF/D/M/MJ 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 13

 4.2. Size:752K  silan
 svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf pdf_icon

SVF4N65CADTR

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3

 5.1. Size:319K  silan
 svf4n65cafjh.pdf pdf_icon

SVF4N65CADTR

SVF4N65CAFJH 4A650V N 2SVF4N65CAFJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF3878P7 , SVF3N65VFJ , SVF4N150F , SVF4N150P7 , SVF4N150PF , SVF4N60CADTR , SVF4N60CAFJ , SVF4N60DTR , IRF1405 , SVF4N65CAFJH , SVF4N65CF , SVF4N65CMJ , SVF4N65DTR , SVF4N65MJ , SVF4N65RDTR , SVF4N70DTR , SVF4N70F .

 

 
Back to Top

 


 
.