Справочник MOSFET. SVF4N65DTR

 

SVF4N65DTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF4N65DTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N65DTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  silan
 svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65dtr.pdf pdf_icon

SVF4N65DTR

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N 2SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS 1 31. 2.

 ..2. Size:427K  silan
 svf4n65t svf4n65f svf4n65mj svf4n65m svf4n65m svf4n65d svf4n65dtr svf4n65k.pdf pdf_icon

SVF4N65DTR

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS F-CellTM VDMOS

 6.1. Size:697K  silan
 svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d.pdf pdf_icon

SVF4N65DTR

SVF4N65F/M/MJ/D 4A650V N SVF4N65F/M/MJ/D N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 6.2. Size:620K  silan
 svf4n65t svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d svf4n65k.pdf pdf_icon

SVF4N65DTR

SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A650V N 2SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS 123 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L13

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOD950A70 | SI4487DY

 

 
Back to Top

 


 
.