Справочник MOSFET. SVF6N60FQ

 

SVF6N60FQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF6N60FQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 42.67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF6N60FQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  silan
 svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf pdf_icon

SVF6N60FQ

SVF6N60F/D/FQ 6A600V N 2SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 11 3 TO-252-2L3

 6.1. Size:547K  silan
 svf6n60mj svf6n60f svf6n60d.pdf pdf_icon

SVF6N60FQ

SVF6N60MJ/F/D_Datasheet 6A 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF6N60MJ/F/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior swit

 9.1. Size:344K  silan
 svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf pdf_icon

SVF6N60FQ

SVF6N80D(K) 6A800V N 2SVF6N80D(K)(MJ) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.2. Size:316K  silan
 svf6n70f.pdf pdf_icon

SVF6N60FQ

SVF6N70F 6A700V N 2SVF6N70F N MOS F-CellTM VDMOS 13

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRLR3714Z | IPU60R1K0CE

 

 
Back to Top

 


 
.