SVF6N70MJG datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVF6N70MJG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF6N70MJG 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: TO251

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVF6N70MJG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVF6N70MJG/D/K/N 6A 700V N 2 SVF6N70MJG/D/K/N N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1.

7.1. Size:316K silan
svf6n70f.pdf pdf_icon

9.1. Size:452K silan
svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf pdf_icon

SVF6N60F/D/FQ 6A 600V N 2 SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 TO-252-2L 3

9.2. Size:344K silan
svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf pdf_icon