SVF7N65CMJL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SVF7N65CMJL 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO251
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SVF7N65CMJL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVF7N65CMJL даташит
svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65ct.pdf
SVF7N65CF/D/MJ/K/T 7A 650V N 2 SVF7N65CF/D/MJ/K/T N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 TO-262-3L 3
Другие IGBT... SVF6N80DTR, SVF6N80K, SVF6N80MJ, SVF740CT, SVF7N60CDTR, SVF7N60CSTR, SVF7N65CDTR, SVF7N65CFJH, IRLZ44N, SVF7N65STR, SVF7N80FD, SVF7N80K, SVF7N80KL, SVF8N65RDTR, SVF8N65RMJ, SVF8N70F, SVF8N70FJH
History: SLB80R850SJ | SLF60R160S2 | SLI80R850SJ | SLF60R080SS | SLP3101 | SLP10N65S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet




