SVF7N65CMJL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF7N65CMJL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVF7N65CMJL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF7N65CMJL даташит

 4.2. Size:641K  silan
svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65ct.pdfpdf_icon

SVF7N65CMJL

SVF7N65CF/D/MJ/K/T 7A 650V N 2 SVF7N65CF/D/MJ/K/T N MOS 1 F-CellTM VDMOS 1 2 3 TO-262-3L 3

 6.1. Size:321K  silan
svf7n65cfjh.pdfpdf_icon

SVF7N65CMJL

Другие IGBT... SVF6N80DTR, SVF6N80K, SVF6N80MJ, SVF740CT, SVF7N60CDTR, SVF7N60CSTR, SVF7N65CDTR, SVF7N65CFJH, IRLZ44N, SVF7N65STR, SVF7N80FD, SVF7N80K, SVF7N80KL, SVF8N65RDTR, SVF8N65RMJ, SVF8N70F, SVF8N70FJH