SVF7N65STR datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVF7N65STR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF7N65STR 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO263

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVF7N65STR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:407K silan
svf7n65f svf7n65s svf7n65str svf7n65t.pdf pdf_icon

6.1. Size:575K silan
svf7n65t svf7n65f svf7n65s.pdf pdf_icon

7.1. Size:321K silan
svf7n65cfjh.pdf pdf_icon