SVF9N90F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF9N90F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVF9N90F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF9N90F даташит

 ..1. Size:333K  silan
 svf9n90f.pdf pdf_icon

SVF9N90F

SVF9N90F 9A 900V N 2. SVF9N90F N MOS F-CellTM VDMOS 1.

Другие IGBT... SVF7N80K, SVF7N80KL, SVF8N65RDTR, SVF8N65RMJ, SVF8N70F, SVF8N70FJH, SVF8N70K, SVF8NN70FJ, P55NF06, SVFP10N60CFJD, SVFP12N60CFJD, SVFP12N65CFJD, SVFP14N60CFJ, SVFP14N60CFJD, SVFP14N65CFJD, SVFP18N60FJD, SVFP4N60CADTR