Справочник MOSFET. SVF9N90F

 

SVF9N90F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF9N90F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVF9N90F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF9N90F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  silan
svf9n90f.pdfpdf_icon

SVF9N90F

SVF9N90F 9A900V N 2. SVF9N90F N MOS F-CellTM VDMOS 1.

Другие MOSFET... SVF7N80K , SVF7N80KL , SVF8N65RDTR , SVF8N65RMJ , SVF8N70F , SVF8N70FJH , SVF8N70K , SVF8NN70FJ , IRFB4115 , SVFP10N60CFJD , SVFP12N60CFJD , SVFP12N65CFJD , SVFP14N60CFJ , SVFP14N60CFJD , SVFP14N65CFJD , SVFP18N60FJD , SVFP4N60CADTR .

History: NCEP0178F | NCEP018N60D

 

 
Back to Top

 


 
.