SVFP14N60CFJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVFP14N60CFJ
Маркировка: 14N60CFJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34.88 nC
trⓘ - Время нарастания: 45.07 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SVFP14N60CFJ
SVFP14N60CFJ Datasheet (PDF)
svfp14n60cfj.pdf
SVFP14N60CFJ 14A600V N 2SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
svfp14n60cfjd.pdf
SVFP14N60CFJD 14A600V N 2SVFP14N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n65cfjd.pdf
SVFP14N65CFJD 14A650V N 2SVFP14N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp10n60cfjd.pdf
SVFP10N60CFJD 10A600V N 2SVFP10N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp18n60fjd.pdf
SVFP18N60FJD 18A, 600V N 2SVFP18N60FJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp12n60cfjd.pdf
SVFP12N60CFJD 12A600V N 2SVFP12N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp12n65cfjd.pdf
SVFP12N65CFJD 12A650V N 2SVFP12N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918