Справочник MOSFET. SVFP14N60CFJ

 

SVFP14N60CFJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVFP14N60CFJ
   Маркировка: 14N60CFJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 34.88 nC
   Время нарастания (tr): 45.07 ns
   Выходная емкость (Cd): 180 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.64 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SVFP14N60CFJ

 

 

SVFP14N60CFJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  silan
svfp14n60cfj.pdf

SVFP14N60CFJ SVFP14N60CFJ

SVFP14N60CFJ 14A600V N 2SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 0.1. Size:321K  silan
svfp14n60cfjd.pdf

SVFP14N60CFJ SVFP14N60CFJ

SVFP14N60CFJD 14A600V N 2SVFP14N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.1. Size:320K  silan
svfp14n65cfjd.pdf

SVFP14N60CFJ SVFP14N60CFJ

SVFP14N65CFJD 14A650V N 2SVFP14N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.1. Size:321K  silan
svfp10n60cfjd.pdf

SVFP14N60CFJ SVFP14N60CFJ

SVFP10N60CFJD 10A600V N 2SVFP10N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.2. Size:319K  silan
svfp18n60fjd.pdf

SVFP14N60CFJ SVFP14N60CFJ

SVFP18N60FJD 18A, 600V N 2SVFP18N60FJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.3. Size:322K  silan
svfp12n60cfjd.pdf

SVFP14N60CFJ SVFP14N60CFJ

SVFP12N60CFJD 12A600V N 2SVFP12N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.4. Size:320K  silan
svfp12n65cfjd.pdf

SVFP14N60CFJ SVFP14N60CFJ

SVFP12N65CFJD 12A650V N 2SVFP12N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top