SVFP14N60CFJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVFP14N60CFJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45.07 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVFP14N60CFJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVFP14N60CFJ даташит

 ..1. Size:318K  silan
 svfp14n60cfj.pdf pdf_icon

SVFP14N60CFJ

SVFP14N60CFJ 14A 600V N 2 SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.

 0.1. Size:321K  silan
 svfp14n60cfjd.pdf pdf_icon

SVFP14N60CFJ

 6.1. Size:320K  silan
 svfp14n65cfjd.pdf pdf_icon

SVFP14N60CFJ

 9.1. Size:321K  silan
 svfp10n60cfjd.pdf pdf_icon

SVFP14N60CFJ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF8N70F, SVF8N70FJH, SVF8N70K, SVF8NN70FJ, SVF9N90F, SVFP10N60CFJD, SVFP12N60CFJD, SVFP12N65CFJD, IRF630, SVFP14N60CFJD, SVFP14N65CFJD, SVFP18N60FJD, SVFP4N60CADTR, SVFP4N60CAMJ, SVFP7N60CFJD, SVFP7N65CDTR, SVFP7N65CMJ