SVFP7N60CFJD datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVFP7N60CFJD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVFP7N60CFJD 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVFP7N60CFJD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:321K silan
svfp7n60cfjd.pdf pdf_icon

7.1. Size:322K silan
svfp7n65cdtr svfp7n65cmj.pdf pdf_icon

8.1. Size:388K silan
svfp7n70mj svfp7n70dtr.pdf pdf_icon

SVFP7N70MJ(D) 7A 700V N 2 SVFP7N70MJ(D) N MOS F-CellTM VDMOS . 1 3