Справочник MOSFET. SVFP7N60CFJD

 

SVFP7N60CFJD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVFP7N60CFJD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVFP7N60CFJD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVFP7N60CFJD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  silan
 svfp7n60cfjd.pdf pdf_icon

SVFP7N60CFJD

SVFP7N60CFJD 7A600V N 2SVFP7N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 7.1. Size:322K  silan
 svfp7n65cdtr svfp7n65cmj.pdf pdf_icon

SVFP7N60CFJD

SVFP7N65CD(MJ) 7A650V N 2SVFP7N65CD/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 8.1. Size:388K  silan
 svfp7n70mj svfp7n70dtr.pdf pdf_icon

SVFP7N60CFJD

SVFP7N70MJ(D) 7A700V N 2SVFP7N70MJ(D) N MOS F-CellTM VDMOS .1 3

Другие MOSFET... SVFP12N60CFJD , SVFP12N65CFJD , SVFP14N60CFJ , SVFP14N60CFJD , SVFP14N65CFJD , SVFP18N60FJD , SVFP4N60CADTR , SVFP4N60CAMJ , IRF1010E , SVFP7N65CDTR , SVFP7N65CMJ , SVFP7N70DTR , SVFP7N70MJ , SVG031R1NL5 , SVG032R4NL3 , SVG032R4NL5 , SVG036R3NL3 .

History: JCS2N70CH | IXTA28P065T

 

 
Back to Top

 


 
.