SVFP7N70MJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVFP7N70MJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVFP7N70MJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVFP7N70MJ даташит

 ..1. Size:388K  silan
 svfp7n70mj svfp7n70dtr.pdf pdf_icon

SVFP7N70MJ

SVFP7N70MJ(D) 7A 700V N 2 SVFP7N70MJ(D) N MOS F-CellTM VDMOS . 1 3

 8.1. Size:321K  silan
 svfp7n60cfjd.pdf pdf_icon

SVFP7N70MJ

 8.2. Size:322K  silan
 svfp7n65cdtr svfp7n65cmj.pdf pdf_icon

SVFP7N70MJ

Другие IGBT... SVFP14N65CFJD, SVFP18N60FJD, SVFP4N60CADTR, SVFP4N60CAMJ, SVFP7N60CFJD, SVFP7N65CDTR, SVFP7N65CMJ, SVFP7N70DTR, 2SK3568, SVG031R1NL5, SVG032R4NL3, SVG032R4NL5, SVG036R3NL3, SVG036R5NL2, SVG036R8NL5, SVG041R2NL5, SVG041R4NL5