SVFP7N70MJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVFP7N70MJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
Тип корпуса: TO251
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVFP7N70MJ Datasheet (PDF)
..1. Size:388K silan
svfp7n70mj svfp7n70dtr.pdf
svfp7n70mj svfp7n70dtr.pdf
SVFP7N70MJ(D) 7A700V N 2SVFP7N70MJ(D) N MOS F-CellTM VDMOS .1 3
8.2. Size:322K silan
svfp7n65cdtr svfp7n65cmj.pdf
svfp7n65cdtr svfp7n65cmj.pdf
SVFP7N65CD(MJ) 7A650V N 2SVFP7N65CD/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
Другие MOSFET... SVFP14N65CFJD , SVFP18N60FJD , SVFP4N60CADTR , SVFP4N60CAMJ , SVFP7N60CFJD , SVFP7N65CDTR , SVFP7N65CMJ , SVFP7N70DTR , SPP20N60C3 , SVG031R1NL5 , SVG032R4NL3 , SVG032R4NL5 , SVG036R3NL3 , SVG036R5NL2 , SVG036R8NL5 , SVG041R2NL5 , SVG041R4NL5 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ11DN10A | JMTQ100P03A | JMTQ100N04A | JMTQ100N03D | JMTQ100N03A | JMTK90N02A | JMTK80N06A | JMTK75N02A | JMTK70N07A | JMTK60N04B | JMTK58N06B | JMTK50P03A | JMTK50P02A | JMTK50N06B | JMTK50N03A | JMTK500N10A
Popular searches
k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent