Справочник MOSFET. SVFP7N70MJ

 

SVFP7N70MJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVFP7N70MJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SVFP7N70MJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVFP7N70MJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:388K  silan
 svfp7n70mj svfp7n70dtr.pdf pdf_icon

SVFP7N70MJ

SVFP7N70MJ(D) 7A700V N 2SVFP7N70MJ(D) N MOS F-CellTM VDMOS .1 3

 8.1. Size:321K  silan
 svfp7n60cfjd.pdf pdf_icon

SVFP7N70MJ

SVFP7N60CFJD 7A600V N 2SVFP7N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 8.2. Size:322K  silan
 svfp7n65cdtr svfp7n65cmj.pdf pdf_icon

SVFP7N70MJ

SVFP7N65CD(MJ) 7A650V N 2SVFP7N65CD/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

Другие MOSFET... SVFP14N65CFJD , SVFP18N60FJD , SVFP4N60CADTR , SVFP4N60CAMJ , SVFP7N60CFJD , SVFP7N65CDTR , SVFP7N65CMJ , SVFP7N70DTR , SPP20N60C3 , SVG031R1NL5 , SVG032R4NL3 , SVG032R4NL5 , SVG036R3NL3 , SVG036R5NL2 , SVG036R8NL5 , SVG041R2NL5 , SVG041R4NL5 .

History: LNSC3400 | JCS620CT | TSP740MR | PMN20EN | AP4438GYT-HF | SQ4917EY | IXFR48N60P

 

 
Back to Top

 


 
.