SVG031R1NL5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SVG031R1NL5
   Маркировка: 031R1NL5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 229 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3216 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8-5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам