SVG032R4NL3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVG032R4NL3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1478 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
Тип корпуса: PDFN8-3.3X3.3X
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVG032R4NL3 Datasheet (PDF)
svg032r4nl3.pdf

SVG032R4NL3 100A30V N SVG032R4NL3 N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svg032r4nl5.pdf

SVG032R4NL5 100A30V N SD1SVG032R4NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg036r8nl5.pdf

SVG036R8NL5 24A30V N S D1SVG036R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: UT8205A | SVG086R0NDTR | SWP160R12VT | UTT18P10G-TA3-T | HUF76145S3S | CED540N | BUK7Y7R2-60E
History: UT8205A | SVG086R0NDTR | SWP160R12VT | UTT18P10G-TA3-T | HUF76145S3S | CED540N | BUK7Y7R2-60E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527