SVG032R4NL3 datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVG032R4NL3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG032R4NL3 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1478 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: PDFN8-3.3X3.3X

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVG032R4NL3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:433K silan
svg032r4nl3.pdf pdf_icon

SVG032R4NL3 100A 30V N SVG032R4NL3 N MOS S D 1 8 LVMOS S 7 D 2 D S 3 6

4.1. Size:438K silan
svg032r4nl5.pdf pdf_icon

9.1. Size:379K silan
svg036r5nl2.pdf pdf_icon

SVG036R5NL2 13A 30V N D D 1 6 SVG036R5NL2 N MOS LVMOS D D 2 5

9.2. Size:411K silan
svg036r8nl5.pdf pdf_icon

SVG036R8NL5 24A 30V N S D 1 SVG036R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6