SVG076R5NKL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVG076R5NKL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 479 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO262
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVG076R5NKL Datasheet (PDF)
svg076r5nt svg076r5ns svg076r5nstr svg076r5ndtr svg076r5nkl.pdf

SVG076R5NT(S)(D)(KL) 100A70V N 2SVG076R5NT(S)(D)(KL) N MOS 1 LVMOS 3
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: HUF76609D3S | BUK7Y3R5-40E | UT30P03 | SWP076R68E7T | HUF75332S3ST | CED07N65A | CEC2088E
History: HUF76609D3S | BUK7Y3R5-40E | UT30P03 | SWP076R68E7T | HUF75332S3ST | CED07N65A | CEC2088E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943