SVG076R5NKL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVG076R5NKL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 479 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO262
SVG076R5NKL Datasheet (PDF)
svg076r5nt svg076r5ns svg076r5nstr svg076r5ndtr svg076r5nkl.pdf

SVG076R5NT(S)(D)(KL) 100A70V N 2SVG076R5NT(S)(D)(KL) N MOS 1 LVMOS 3
Другие MOSFET... SVG062R8NL5 , SVG063R5NL5 , SVG066R5NSA , SVG069R5NDTR , SVG069R5NMJ , SVG069R5NT , SVG075R5NT , SVG076R5NDTR , P60NF06 , SVG076R5NS , SVG076R5NSTR , SVG076R5NT , SVG083R4NP7 , SVG083R4NS , SVG083R4NSTR , SVG083R4NT , SVG083R6NAL5 .
History: NTD5803N
History: NTD5803N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943