Справочник MOSFET. SVG083R4NSTR

 

SVG083R4NSTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVG083R4NSTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 925 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SVG083R4NSTR

 

 

SVG083R4NSTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  silan
 svg083r4nt svg083r4ns svg083r4nstr svg083r4np7.pdf

SVG083R4NSTR SVG083R4NSTR

SVG083R4NT(S)(P7) 120A80V N 2 SVG083R4NT(S)(P7) N MOS LVMOS 11 3

 7.1. Size:420K  silan
 svg083r6nal5.pdf

SVG083R4NSTR SVG083R4NSTR

SVG083R6NAL5 138A80V N S D1SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

 9.1. Size:481K  silan
 svg085r9nt.pdf

SVG083R4NSTR SVG083R4NSTR

SVG085R9NT 100A80V N 2SVG085R9NT N MOS LVMOS 1 3

 9.2. Size:330K  silan
 svg087r0nt.pdf

SVG083R4NSTR SVG083R4NSTR

SVG087R0NT 95A80V N 2SVG087R0NT N MOS LVMOS 1 3

 9.3. Size:434K  silan
 svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf

SVG083R4NSTR SVG083R4NSTR

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A80V N 2S D1 8SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D1 LVMOS DS 3 6G 4 5 D 3

 9.4. Size:328K  silan
 svg086r5nt.pdf

SVG083R4NSTR SVG083R4NSTR

SVG086R5NT 120A85V N 2SVG086R5NT N MOS LVMOS 1 3

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top