Справочник MOSFET. SVG083R4NT

 

SVG083R4NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVG083R4NT
   Маркировка: 083R4NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 179 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 94 nC
   Время нарастания (tr): 46 ns
   Выходная емкость (Cd): 925 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SVG083R4NT

 

 

SVG083R4NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  silan
svg083r4nt svg083r4ns svg083r4nstr svg083r4np7.pdf

SVG083R4NT
SVG083R4NT

SVG083R4NT(S)(P7) 120A80V N 2 SVG083R4NT(S)(P7) N MOS LVMOS 11 3

 7.1. Size:420K  silan
svg083r6nal5.pdf

SVG083R4NT
SVG083R4NT

SVG083R6NAL5 138A80V N S D1SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

 9.1. Size:481K  silan
svg085r9nt.pdf

SVG083R4NT
SVG083R4NT

SVG085R9NT 100A80V N 2SVG085R9NT N MOS LVMOS 1 3

 9.2. Size:330K  silan
svg087r0nt.pdf

SVG083R4NT
SVG083R4NT

SVG087R0NT 95A80V N 2SVG087R0NT N MOS LVMOS 1 3

 9.3. Size:434K  silan
svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf

SVG083R4NT
SVG083R4NT

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A80V N 2S D1 8SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D1 LVMOS DS 3 6G 4 5 D 3

 9.4. Size:328K  silan
svg086r5nt.pdf

SVG083R4NT
SVG083R4NT

SVG086R5NT 120A85V N 2SVG086R5NT N MOS LVMOS 1 3

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top