SVG083R4NT - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVG083R4NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVG083R4NT
   Маркировка: 083R4NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 179 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 94 nC
   Время нарастания (tr): 46 ns
   Выходная емкость (Cd): 925 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SVG083R4NT