SVG086R0NDTR - аналоги и даташиты транзистора

 

SVG086R0NDTR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SVG086R0NDTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SVG086R0NDTR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG086R0NDTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  silan
 svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVG086R0NDTR

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A80V N 2S D1 8SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D1 LVMOS DS 3 6G 4 5 D 3

 7.1. Size:328K  silan
 svg086r5nt.pdf pdf_icon

SVG086R0NDTR

SVG086R5NT 120A85V N 2SVG086R5NT N MOS LVMOS 1 3

 9.1. Size:481K  silan
 svg085r9nt.pdf pdf_icon

SVG086R0NDTR

SVG085R9NT 100A80V N 2SVG085R9NT N MOS LVMOS 1 3

 9.2. Size:330K  silan
 svg087r0nt.pdf pdf_icon

SVG086R0NDTR

SVG087R0NT 95A80V N 2SVG087R0NT N MOS LVMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVG076R5NSTR , SVG076R5NT , SVG083R4NP7 , SVG083R4NS , SVG083R4NSTR , SVG083R4NT , SVG083R6NAL5 , SVG085R9NT , 7N60 , SVG086R0NL5TR , SVG086R0NS , SVG086R0NSTR , SVG086R0NT , SVG086R5NT , SVG087R0NT , SVG094R1NKL , SVG094R1NS .

 

 
Back to Top

 


 
.