SVG086R0NDTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG086R0NDTR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVG086R0NDTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG086R0NDTR даташит

 ..1. Size:434K  silan
 svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVG086R0NDTR

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A 80V N 2 S D 1 8 SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D 1 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 3

 7.1. Size:328K  silan
 svg086r5nt.pdf pdf_icon

SVG086R0NDTR

 9.1. Size:481K  silan
 svg085r9nt.pdf pdf_icon

SVG086R0NDTR

 9.2. Size:330K  silan
 svg087r0nt.pdf pdf_icon

SVG086R0NDTR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVG076R5NSTR, SVG076R5NT, SVG083R4NP7, SVG083R4NS, SVG083R4NSTR, SVG083R4NT, SVG083R6NAL5, SVG085R9NT, AO3407, SVG086R0NL5TR, SVG086R0NS, SVG086R0NSTR, SVG086R0NT, SVG086R5NT, SVG087R0NT, SVG094R1NKL, SVG094R1NS