SVG086R0NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVG086R0NT
Маркировка: 086RONT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 66 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 520 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVG086R0NT
SVG086R0NT Datasheet (PDF)
..1. Size:434K silan
svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A80V N 2S D1 8SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D1 LVMOS DS 3 6G 4 5 D 3
9.3. Size:420K silan
svg083r6nal5.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svg083r6nal5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVG083R6NAL5 138A80V N S D1SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
9.4. Size:415K silan
svg083r4nt svg083r4ns svg083r4nstr svg083r4np7.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svg083r4nt svg083r4ns svg083r4nstr svg083r4np7.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVG083R4NT(S)(P7) 120A80V N 2 SVG083R4NT(S)(P7) N MOS LVMOS 11 3
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .