SVG10120NADTR - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVG10120NADTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVG10120NADTR
   Маркировка: 10120NAD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 121 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SVG10120NADTR

SVG10120NADTR Datasheet (PDF)

..1. Size:395K silan
svg10120nat svg10120nadtr.pdf

SVG10120NAT(D) 80A100V N 2SVG10120NAT(D) N MOS LVMOS 1 3

5.1. Size:312K silan
svg10120nsa.pdf

SVG10120NSA 16A100V N 5 6 7 8 4. SVG10120NSA N MOS 123. 5678. LVMOS 4

9.1. Size:276K 1
svg104r5nt svg104r5ns.pdf

SilanMicroelectronicsSVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3switching performance. 1.Gate 2.

9.2. Size:317K silan
svg108r5nad.pdf