SVG10120NADTR datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVG10120NADTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG10120NADTR 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 121 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVG10120NADTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVG10120NADTR даташит

..1. Size:395K silan
svg10120nat svg10120nadtr.pdf pdf_icon

SVG10120NAT(D) 80A 100V N 2 SVG10120NAT(D) N MOS LVMOS 1 3

5.1. Size:312K silan
svg10120nsa.pdf pdf_icon

SVG10120NSA 16A 100V N 5 6 7 8 4. SVG10120NSA N MOS 1 2 3. 5 6 7 8. LVMOS 4

9.1. Size:276K 1
svg104r5nt svg104r5ns.pdf pdf_icon

Silan Microelectronics SVG104R5NT(S)_Datasheet 120A, 100V N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION SVG104R5NT(S) is an N-channel enhancement mode power MOS 2 field effect transistor which is produced using Silan's LVMOS technology. The improved process and cell structure have been 1 especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior 3 switching performance. 1.Gate 2.

9.2. Size:317K silan
svg108r5nad.pdf pdf_icon