STM4437A - описание и поиск аналогов

 

STM4437A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STM4437A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для STM4437A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STM4437A даташит

 ..1. Size:154K  samhop
stm4437a.pdfpdf_icon

STM4437A

STM4437A a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 15 @ VGS=-10V Suface Mount Package. -30V -10A 26 @ VGS=-4.5V D 5 4 G 6 3 D S 7 2 D S S O-8 D 8 1 S 1 (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM R

 8.1. Size:113K  samhop
stm4432.pdfpdf_icon

STM4437A

Gre r r P Pr P P STM4432 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 11 @ VGS=10V Suface Mount Package. 40V 12A 15 @ VGS=4.5V SO-8 1 (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Paramet

 8.2. Size:659K  samhop
stm4433a.pdfpdf_icon

STM4437A

S T M4433A S amHop Microelectronics C orp. J an.25 2005 P-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor P R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E S 5 S uper high dense cell design for low R DS (ON). V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max R ugged and reliable. 35 @ V G S = -10V -30V -6A S urface Mount Package. 55 @ V G S = -4.5V D D D D 8 7 6 5 S O-8 1 1 2 3 4 S S S G ABS OLUTE MAXIMU

 8.3. Size:134K  samhop
stm4435.pdfpdf_icon

STM4437A

Green Product S TM4435 S amHop Microelectronics C orp. J AN.20 2006 P-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 20 @ VG S = -10V -30V -8A S urface Mount Package. 33 @ VG S = -4.5V D D D D 8 7 6 5 S O-8 1 1 2 3 4 S S S G ABS OLUTE M

Другие MOSFET... STM4460 , FDP15N40 , STM4446 , FDP16AN08A0 , FDP18N20F , STM4439A , FDP18N50 , FDP19N40 , 10N60 , FDP20N50 , FDP20N50F , FDP22N50N , FDP24N40 , STM4435 , FDP2532 , FDP2552 , FDP2572 .

History: FDMS3600S | STM4633 | STF620S | FDP2572 | CJS2013

 

 

 

 

↑ Back to Top
.