SVG15670NSA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG15670NSA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVG15670NSA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG15670NSA даташит

 ..1. Size:456K  silan
svg15670nsa.pdfpdf_icon

SVG15670NSA

SVG15670NSA 4.1A 150V N 5 6 7 8 4. SVG15670NSA N MOS 1 2 3. LVMOS 5 6 7 8. 4

 5.1. Size:493K  silan
svg15670nd.pdfpdf_icon

SVG15670NSA

 5.2. Size:475K  silan
svg15670nl5.pdfpdf_icon

SVG15670NSA

SVG15670NL5 25A 150V N S D 1 SVG15670NL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6

Другие IGBT... SVG108R5NAD, SVG108R5NAL5, SVG108R5NAM, SVG108R5NAMJ, SVG108R5NAMQ, SVG108R5NAT, SVG15670ND, SVG15670NL5, IRFB4110, SVGP02R58NL5, SVGP03100NCS, SVGP066R1NL5, SVGP069R5NSA, SVGP082R6NL5A, SVGP103R0NP7, SVGP103R0NT, SVGP104R1NL5