SVGP104R5NASTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVGP104R5NASTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 829 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVGP104R5NASTR
SVGP104R5NASTR Datasheet (PDF)
svgp104r5nat svgp104r5nas svgp104r5nastr.pdf
SVGP104R5NAT(S) 120A100V N 2 SVGP104R5NAT(S) N MOS 1 LVMOS 3
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf
SVGP104R5NT(S) 120A100V N 2SVGP104R5NT(S) N MOS LVMOS 1
svgp104r1nl5.pdf
SVGP104R1NL5 136A100V N SD18SVGP104R1NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf
SVGP103R0NT(P7) 180A100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1
Другие MOSFET... SVGP03100NCS , SVGP066R1NL5 , SVGP069R5NSA , SVGP082R6NL5A , SVGP103R0NP7 , SVGP103R0NT , SVGP104R1NL5 , SVGP104R5NAS , IRFB4115 , SVGP104R5NAT , SVGP104R5NS , SVGP104R5NSTR , SVGP104R5NT , SVGP107R0NL5 , SVGP15110NL5 , SVGP15140NL5A , SVGP15161PL3A .
History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P
History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243