Справочник MOSFET. SVGP104R5NASTR

 

SVGP104R5NASTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVGP104R5NASTR
   Маркировка: P104R5NAS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 107 nC
   trⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 829 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SVGP104R5NASTR

 

 

SVGP104R5NASTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:359K  silan
svgp104r5nat svgp104r5nas svgp104r5nastr.pdf

SVGP104R5NASTR
SVGP104R5NASTR

SVGP104R5NAT(S) 120A100V N 2 SVGP104R5NAT(S) N MOS 1 LVMOS 3

 4.1. Size:326K  silan
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf

SVGP104R5NASTR
SVGP104R5NASTR

SVGP104R5NT(S) 120A100V N 2SVGP104R5NT(S) N MOS LVMOS 1

 6.1. Size:557K  silan
svgp104r1nl5.pdf

SVGP104R5NASTR
SVGP104R5NASTR

SVGP104R1NL5 136A100V N SD18SVGP104R1NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6

 8.1. Size:488K  silan
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf

SVGP104R5NASTR
SVGP104R5NASTR

SVGP103R0NT(P7) 180A100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1

 8.2. Size:411K  silan
svgp107r0nl5.pdf

SVGP104R5NASTR
SVGP104R5NASTR

SVGP107R0NL5 90A100V N SD18SVGP107R0NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top