Справочник MOSFET. SVGP104R5NAT

 

SVGP104R5NAT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVGP104R5NAT
   Маркировка: P104R5NAT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 107 nC
   Время нарастания (tr): 52 ns
   Выходная емкость (Cd): 829 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SVGP104R5NAT

 

 

SVGP104R5NAT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:359K  silan
svgp104r5nat svgp104r5nas svgp104r5nastr.pdf

SVGP104R5NAT
SVGP104R5NAT

SVGP104R5NAT(S) 120A100V N 2 SVGP104R5NAT(S) N MOS 1 LVMOS 3

 4.1. Size:326K  silan
svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf

SVGP104R5NAT
SVGP104R5NAT

SVGP104R5NT(S) 120A100V N 2SVGP104R5NT(S) N MOS LVMOS 1

 6.1. Size:557K  silan
svgp104r1nl5.pdf

SVGP104R5NAT
SVGP104R5NAT

SVGP104R1NL5 136A100V N SD18SVGP104R1NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6

 8.1. Size:488K  silan
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf

SVGP104R5NAT
SVGP104R5NAT

SVGP103R0NT(P7) 180A100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1

 8.2. Size:411K  silan
svgp107r0nl5.pdf

SVGP104R5NAT
SVGP104R5NAT

SVGP107R0NL5 90A100V N SD18SVGP107R0NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top