Справочник MOSFET. SVGP104R5NT

 

SVGP104R5NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVGP104R5NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 864 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVGP104R5NT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVGP104R5NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  silan
 svgp104r5nt svgp104r5ns svgp104r5nstr.pdf pdf_icon

SVGP104R5NT

SVGP104R5NT(S) 120A100V N 2SVGP104R5NT(S) N MOS LVMOS 1

 4.1. Size:359K  silan
 svgp104r5nat svgp104r5nas svgp104r5nastr.pdf pdf_icon

SVGP104R5NT

SVGP104R5NAT(S) 120A100V N 2 SVGP104R5NAT(S) N MOS 1 LVMOS 3

 6.1. Size:557K  silan
 svgp104r1nl5.pdf pdf_icon

SVGP104R5NT

SVGP104R1NL5 136A100V N SD18SVGP104R1NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6

 8.1. Size:488K  silan
 svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf pdf_icon

SVGP104R5NT

SVGP103R0NT(P7) 180A100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVGP103R0NP7 , SVGP103R0NT , SVGP104R1NL5 , SVGP104R5NAS , SVGP104R5NASTR , SVGP104R5NAT , SVGP104R5NS , SVGP104R5NSTR , 7N65 , SVGP107R0NL5 , SVGP15110NL5 , SVGP15140NL5A , SVGP15161PL3A , SVGP15751PL3 , SVGP157R2NS , SVGP157R5NP7 , SVGP157R5NT .

 

 
Back to Top

 


 
.