SVGP107R0NL5 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SVGP107R0NL5 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 454 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: PDFN8-5X6
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SVGP107R0NL5
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SVGP107R0NL5 даташит
svgp107r0nl5.pdf
SVGP107R0NL5 90A 100V N S D 1 8 SVGP107R0NL5 N MOS S D 2 7 LVMOS D S 3 6
svgp103r0nt svgp103r0np7.pdf
SVGP103R0NT(P7) 180A 100V N SVGP103R0NT(P7) N MOS 2 LVMOS 1
Другие IGBT... SVGP103R0NT, SVGP104R1NL5, SVGP104R5NAS, SVGP104R5NASTR, SVGP104R5NAT, SVGP104R5NS, SVGP104R5NSTR, SVGP104R5NT, IRF9540, SVGP15110NL5, SVGP15140NL5A, SVGP15161PL3A, SVGP15751PL3, SVGP157R2NS, SVGP157R5NP7, SVGP157R5NT, SVGP159R3NL5ATR
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet





