SVGP15110NL5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVGP15110NL5
Маркировка: P15110NL5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
trⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 521 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: PDFN8-5X6
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVGP15110NL5 Datasheet (PDF)
svgp15110nl5.pdf

SVGP15110NL5 76A150V N SD18SVGP15110NL5 N MOS S D2 7 LVMOS DS 3 6
svgp15140nl5a.pdf

SVGP15140NL5A 100A150V N SVGP15140NL5A N MOS S D1 8 LVMOS S 7 D2 DS 3 6
svgp15161pl3a.pdf

SVGP15161PL3A -9A-150V P SSVGP15161PL3A P MOS D18 LVMOS S D2 7 DS3 6
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: UTC50N06L
History: UTC50N06L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130