SVGQ042R8NL5V-2HSTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVGQ042R8NL5V-2HSTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 112 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: PDFN8Q-5X6
Аналог (замена) для SVGQ042R8NL5V-2HSTR
SVGQ042R8NL5V-2HSTR Datasheet (PDF)
svgq042r8nl5v-2hstr.pdf
SVGQ042R8NL5V-2HS 112A40V N S D1 8SVGQ042R8NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V
svgq041r3nl5v-2hstr.pdf
SVGQ041R3NL5V-2HS 190A40V N S D1 8SVGQ041R3NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V
svgq041r7nl5v-2hstr.pdf
SVGQ041R7NL5V-2HS 160A40V N S D1 8SVGQ041R7NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V
svgq047r6nl5v-2hs.pdf
SVGQ047R6NL5V-2HS 65A40V N S D1 8SVGQ047R6NL5V-2HS N MOS S 7 D2 LVMOS DS 3 6 G4 5 D 12V
Другие MOSFET... SVGP159R3NL5TR , SVGP20110NP7 , SVGP20110NS , SVGP20110NSTR , SVGP20110NT , SVGP20500NL5 , SVGQ041R3NL5V-2HSTR , SVGQ041R7NL5V-2HSTR , 4N60 , SVGQ047R6NL5V-2HS , SVGQ06100ND , SVGQ06130PD , SVGQ109R5NAD , SVS11N60DD2TR , SVS11N60FD2 , SVS11N60FJD2 , SVS11N60KD2 .
History: QM0016F | ZXM62N03G | IXTK17N120L | RFH25P10 | GMP3205 | PD600BA | P0460ED
History: QM0016F | ZXM62N03G | IXTK17N120L | RFH25P10 | GMP3205 | PD600BA | P0460ED
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor