SVS11N65T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVS11N65T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.44 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVS11N65T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVS11N65T даташит

 ..1. Size:382K  silan
 svs11n65t svs11n65f svs11n65k svs11n65s svs11n65str.pdf pdf_icon

SVS11N65T

 6.1. Size:447K  silan
 svs11n65dd2tr svs11n65fd2 svs11n65sd2 svs11n65sd2tr svs11n65fjd2.pdf pdf_icon

SVS11N65T

SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 11A 650V MOS 2 SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 N MOSFET MOS 1 1 3 SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2

 6.2. Size:229K  silan
 svs11n65fjd2.pdf pdf_icon

SVS11N65T

SVS11N65FJD2_Datasheet 11A, 650V DP MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS11N65FJD2 is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silan s DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior. Furthermore,

 7.1. Size:493K  silan
 svs11n60dd2tr svs11n60fd2 svs11n60sd2 svs11n60sd2tr svs11n60fjd2 svs11n60td2 svs11n60kd2.pdf pdf_icon

SVS11N65T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVS11N65DD2TR, SVS11N65F, SVS11N65FD2, SVS11N65K, SVS11N65S, SVS11N65SD2, SVS11N65SD2TR, SVS11N65STR, RFP50N06, SVS11N70DD2TR, SVS11N70FD2, SVS11N70FJHD2, SVS11N70MJD2, SVS11N70SD2, SVS14N60FD2, SVS14N60FJD2, SVS14N60TD2