Справочник MOSFET. SVS11N70FJHD2

 

SVS11N70FJHD2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVS11N70FJHD2
   Маркировка: 11N70FJH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SVS11N70FJHD2

 

 

SVS11N70FJHD2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  silan
 svs11n70fjhd2 svs11n70dd2tr svs11n70mjd2 svs11n70sd2 svs11n70fd2.pdf

SVS11N70FJHD2 SVS11N70FJHD2

SVS11N70FJH/D/MJ/S/FD2 11A, 700V MOS 2 SVS11N70FJH/D/MJ/S/FD2 N MOSFET 1 MOS 13 3TO-252-2LSVS11N70FJH/D/MJ/S/FD2

 8.1. Size:493K  silan
 svs11n60dd2tr svs11n60fd2 svs11n60sd2 svs11n60sd2tr svs11n60fjd2 svs11n60td2 svs11n60kd2.pdf

SVS11N70FJHD2 SVS11N70FJHD2

SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2 11A, 600V MOS 21SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2 N MOSFET 3TO-263-2L MOS 1 13 3SVS11N60D/F/S/FJ/T/KD2

 8.2. Size:447K  silan
 svs11n65dd2tr svs11n65fd2 svs11n65sd2 svs11n65sd2tr svs11n65fjd2.pdf

SVS11N70FJHD2 SVS11N70FJHD2

SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 11A650VMOS 2SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2 N MOSFET MOS 11 3SVS11N65D(F)(S)(FJ)D2

 8.3. Size:382K  silan
 svs11n65t svs11n65f svs11n65k svs11n65s svs11n65str.pdf

SVS11N70FJHD2 SVS11N70FJHD2

SVS11N65T/F/K/S 11A, 650V DP MOS 2 SVS11N65T/F/K/S N MOSFET 123 DP MOS 1TO-262-3L 3SVS11N65T/F/K/S /

 8.4. Size:229K  silan
 svs11n65fjd2.pdf

SVS11N70FJHD2 SVS11N70FJHD2

SVS11N65FJD2_Datasheet 11A, 650V DP MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVS11N65FJD2 is an N-channel enhancement mode high voltage power MOSFETs produced using Silans DP MOS technology. It achieves low conduction loss and switching losses. It leads the design engineers to their power converters with high efficiency, high power density, and superior thermal behavior. Furthermore,

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top